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pos機顯示內(nèi)存不足
曾幾何時，半導(dǎo)體領(lǐng)域國內(nèi)與國外差距非常大，但隨著國家政策的大力支持，各種領(lǐng)域的國產(chǎn)芯片都開始逐漸出現(xiàn)，長江存儲的NAND芯片已經(jīng)用在手機以及SSD市場了，而長鑫存儲的國產(chǎn)內(nèi)存芯片也開始逐步進入市場，不少內(nèi)存廠商都開賣或者準備采用長鑫的內(nèi)存芯片，而作為國內(nèi)存儲大廠的江波龍，五月份已經(jīng)推出了3款國產(chǎn)化內(nèi)存，分別為DDR4 SODIMM 8GB、DDR4 UDIMM 8GB、DDR4 UDIMM 16GB，核心DRAM采用長鑫存儲的顆粒，并且從原材料供應(yīng)到生產(chǎn)制造，皆為本土企業(yè)在國內(nèi)完成，這標志著中國存儲在質(zhì)量上開始參與市場競爭。
本次測試的這款內(nèi)存產(chǎn)品屬于旗下的FORESEE品牌，是專注行業(yè)應(yīng)用的嵌入式存儲品牌，產(chǎn)品可以滿足消費級、工業(yè)級、車規(guī)級、定制級存儲需求和各類復(fù)雜場景的應(yīng)用領(lǐng)域。
根據(jù)江波龍官網(wǎng)所示，F(xiàn)ORESEE旗下的DDR4內(nèi)存產(chǎn)品包括臺式機所用的DDR4 U-DIMM和筆記本使用的DDR4 SO-DIMM，頻率均是2666MHz的，臺式機內(nèi)存容量有8GB/16GB/32GB，而筆記本內(nèi)存容量則有4GB/8GB/16GB/32GB，我們收到的是單根16GB的臺式機內(nèi)存，其中一套是用長鑫存儲的顆粒，而另一套則是三星的顆粒。
FORESEE的產(chǎn)品是針對行業(yè)用戶的，所以內(nèi)存是最基本的裸條，看多了那些花里胡哨的馬甲條，這種裸條在我們評測室還是很少見的，畢竟頻率只有2666MHz，上馬甲也啥意義。
兩套內(nèi)存外觀看起來雖然差不多，但是具體型號是不同的，用長鑫顆粒的型號是GD4UA2666QGCCM，而用三星顆粒的型號是FD4AU2666CQGSC。
兩套內(nèi)存都是雙面的，也就是說用的是8Gb的內(nèi)存顆粒
用長鑫顆粒這套用的芯片型號是CXDQ3A8AM-CG，是長鑫存儲的10nm級最新版本8Gb顆粒，頻率是2666Mbps，工作電壓1.2V。2019年9月，長鑫存儲發(fā)布與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10nm級第一代8Gb DDR4。目前，長鑫存儲正使用其10G1技術(shù)來制造8Gb DDR4存儲器芯片，經(jīng)過多次迭代和優(yōu)化，其工藝已進入國際化主流水平，其技術(shù)突破和自主制造已達到行業(yè)一流。
而三星的這套的芯片型號是K4A8G085WC-BCTD，是三星C-die，單顆容量8Gb，頻率是2666Mbps，工作電壓1.2V，最早在2017年就推出，是一款相當(dāng)成熟的產(chǎn)品。
內(nèi)存所用的芯片全部都通過江波龍EVT完整的顆粒級測試，不同于行業(yè)常規(guī)的Advantest和PC測試，江波龍創(chuàng)新采用基于10nm ASIC的自主開發(fā)測試系統(tǒng)，提供最佳的顆粒Margin和耐受度測試方案。
江波龍DDR4內(nèi)存產(chǎn)品部分測試項目
FORESEE國產(chǎn)化內(nèi)存的PCB基板基于JEDEC R/C標準進行設(shè)計規(guī)范，并已經(jīng)過市場各方面應(yīng)用NPO。除此之外，生產(chǎn)制造由國內(nèi)知名內(nèi)存制造企業(yè)完成，通過完善MES系統(tǒng)和自動化體系實現(xiàn)精益化生產(chǎn)管理，達到業(yè)界頂尖水平，實現(xiàn)產(chǎn)品的高質(zhì)量輸出，把守產(chǎn)品的質(zhì)量底線。
江波龍DRAM測試系統(tǒng)
官方表示，F(xiàn)ORESEE的內(nèi)存已通過一系列兼容性測試，在單通、雙通、四通滿載Loading上都保持100%的測試通過率，在穩(wěn)定性上的表現(xiàn)非常優(yōu)異。也通過了目前市場上較為的Intel Z390、Intel H310、AMD B450、AMD X570和國產(chǎn)方案的飛騰FT2000/4、鯤鵬920這些測試平臺，可見內(nèi)存的兼容性是有保障的。
江波龍內(nèi)存產(chǎn)品KTI測試認證的測試項目與測試結(jié)果
除此之外，江波龍和內(nèi)存測試設(shè)備國際知名品牌皇虎測試科技（KingTiger Technology，簡稱“KTI”）合作，向他們提供了FORESEE DDR4內(nèi)存樣品，不僅通過了KTI的專項測試認證，還被評為“優(yōu)質(zhì)品”。
CPU-Z可以很好的識別出江波龍這兩套內(nèi)存的顆粒信號，左側(cè)的是長鑫的，右側(cè)是三星的，用長鑫顆粒的時序是18-18-18-43，生產(chǎn)時間是2020年26周，才出廠沒多久。而三星顆粒的是19-19-19-49，出廠時間是2020年16周。
超頻測試這次測試使用的是Intel目前最頂級的10核處理器Core i9-10900K，主板是微星MEG Z490I Unify，這是一塊ITX主板，內(nèi)存超頻能力甚至強于自家的旗艦，我們會從內(nèi)存默認的2666MHz頻率開始測試，一直到它的超頻極限為止，測試內(nèi)存的帶寬與延遲。
先來看看用長鑫顆粒的內(nèi)存的情況：
默認情況下內(nèi)存的讀寫速度接近40000MB/s，內(nèi)存延遲60.6ns，只改內(nèi)存頻率其他啥都不改的話能直接超到2933MHz，主板會根據(jù)JEDEC自動把時序增加到20-20-20-47，內(nèi)存帶寬增加到44000MB/s左右，內(nèi)存延遲59.6ns，因為時序的增加所以延遲沒怎么降低。超3200MHz時我是手調(diào)過電壓和時序的，內(nèi)存電壓加到1.35V，而且時序調(diào)到了15-16-16-38，內(nèi)存帶寬47000MB/s左右，延遲52nm，這個時序還是挺不錯的。最終穩(wěn)定頻率是3600MHz，內(nèi)存時序18-20-20-44，內(nèi)存帶寬超過50000MB/s，延遲53.7ns，因為時序增加了不少所以延遲也漲了些。
這套用長鑫顆粒的內(nèi)存是可以超頻到3600MHz后通過Memtest Pro烤機測試的，時序也可以，感覺國產(chǎn)長鑫的內(nèi)存顆?？梢园?。
先來看看用三星C-Die的內(nèi)存：
這套用三星顆粒的，默認時序是19-19-19-43，所以延遲相對來說要比長鑫的高一點點，為62.7ns，超到2933MHz后時序被主板加到21-21-21-47，延遲60.3ns，超3200MHz時電壓加至1.35V，時序16-18-18-38，延遲53.5，超頻到3600MHz時序要加到18-20-20-44，延遲53.7ns。
但如果想通過穩(wěn)定性測試的話延遲是要增加到20-20-20-44的，此時延遲會少量增加到54.9ns，看來這套用三星C-Die顆粒的時序沒長鑫的那么漂亮，但是頻率都能到3600MHz，2666MHz的裸條能超到這個頻率也算是個不錯的結(jié)果了。
國產(chǎn)內(nèi)存在逐步進入市場FORESEE的這兩套DDR4內(nèi)存是面向行業(yè)客戶出貨的，不是面向普通消費者的產(chǎn)品，所以大家不會在市場上直接買FORESEE的內(nèi)存，但是買到用他們家內(nèi)存的產(chǎn)品是有可能的，因為內(nèi)存不單止用在個人電腦里面，還適用于各種個人、商業(yè)、工控、企業(yè)級、公共設(shè)施等應(yīng)用場景，尤其是在行業(yè)范疇的POS收銀、瘦客戶機、AIO、教育OPS、會議系統(tǒng)、銀行/醫(yī)院自助等多個領(lǐng)域發(fā)揮著不小的作用。
這是我們第一次接觸長鑫的內(nèi)存顆粒，它能有如此好的體質(zhì)也是比意外的，本來以為它超頻能力不會很好，但沒想到它能從2666MHz一直超到3600MHz，完全在我意料之外，能和另一套用三星C-Die到一個水平，時序甚至還要低一點，看來長鑫的DDR4內(nèi)存顆粒體質(zhì)還是不錯的，當(dāng)然這只是一個開始，國產(chǎn)內(nèi)存顆粒還有很長一段路要走。
鑒于FORESEE的DDR4內(nèi)存是面向行業(yè)客戶出貨的，所以最終產(chǎn)品基本上都會運行在默認頻率，我們做超頻測試也只是玩下而已，但它們能在高出標準的頻率下穩(wěn)定運行，也從一方面說明內(nèi)存的穩(wěn)定性不差，而穩(wěn)定性才是這些內(nèi)存最需要的東西。
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